29.10.2026, 7:03
Физик из МФТИ, изучая возможности создания новых триггеров и элементов памяти для электроники будущего, показал, что электронный газ в атомарно тонком полупроводнике может существовать почти одновременно в двух разных устойчивых состояниях при одной и той же мощности внешнего поля. Дихалькогениды переходных металлов, например MoSe₂, можно расщепить до слоев толщиной в 3 атома. Тогда они превращаются […]
Читать весь текст →